VS-2EFH01HM3/I | Vishay General Semiconductor – Diodes Division VS-2EFH01HM3/I

VS-2EFH01HM3/I

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	VS-2EFH01HM3/I
LIXINC Part #	VS-2EFH01HM3/I
Valmistaja	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Kategoria	erillinen puolijohde › diodit - tasasuuntaajat - yksittäinen
Kuvaus	DIODE GEN PURP 100V 2A DO219AB
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	VS-2EFH01HM3/I PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 24 - Oct 28 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

VS-2EFH01HM3/I Tekniset tiedot

Osa numero:	VS-2EFH01HM3/I
Brändi:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	diodit - tasasuuntaajat - yksittäinen
Valmistaja:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)
osan tila:	Active
diodityyppi:	Standard
jännite - dc taaksepäin (vr) (max):	100 V
virta - keskimääräinen tasasuunnattu (io):	2A
jännite - eteenpäin (vf) (max) @ jos:	950 mV @ 2 A
nopeus:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
käänteinen palautumisaika (trr):	16 ns
virta - käänteinen vuoto @ vr:	2 µA @ 100 V
kapasitanssi @ vr, f:	-
asennustyyppi:	Surface Mount
paketti/laukku:	DO-219AB
toimittajan laitepaketti:	DO-219AB (SMF)
käyttölämpötila - risteys:	-65°C ~ 175°C