1N4448TAP | Vishay General Semiconductor – Diodes Division 1N4448TAP

1N4448TAP

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	1N4448TAP
LIXINC Part #	1N4448TAP
Valmistaja	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Kategoria	erillinen puolijohde › diodit - tasasuuntaajat - yksittäinen
Kuvaus	DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	1N4448TAP PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 06 - Oct 10 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

1N4448TAP Tekniset tiedot

Osa numero:	1N4448TAP
Brändi:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	diodit - tasasuuntaajat - yksittäinen
Valmistaja:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
sarja:	-
paketti:	Cut Tape (CT)Tape & Box (TB)
osan tila:	Active
diodityyppi:	Standard
jännite - dc taaksepäin (vr) (max):	75 V
virta - keskimääräinen tasasuunnattu (io):	150mA
jännite - eteenpäin (vf) (max) @ jos:	720 mV @ 5 mA
nopeus:	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
käänteinen palautumisaika (trr):	8 ns
virta - käänteinen vuoto @ vr:	5 µA @ 75 V
kapasitanssi @ vr, f:	4pF @ 0V, 1MHz
asennustyyppi:	Through Hole
paketti/laukku:	DO-204AH, DO-35, Axial
toimittajan laitepaketti:	DO-35
käyttölämpötila - risteys:	175°C (Max)