UH3BHE3_A/I | Vishay General Semiconductor – Diodes Division UH3BHE3_A/I

UH3BHE3_A/I

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	UH3BHE3_A/I
LIXINC Part #	UH3BHE3_A/I
Valmistaja	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Kategoria	erillinen puolijohde › diodit - tasasuuntaajat - yksittäinen
Kuvaus	DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	UH3BHE3_A/I PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 20 - Oct 24 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

UH3BHE3_A/I Tekniset tiedot

Osa numero:	UH3BHE3_A/I
Brändi:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	diodit - tasasuuntaajat - yksittäinen
Valmistaja:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)
osan tila:	Active
diodityyppi:	Standard
jännite - dc taaksepäin (vr) (max):	100 V
virta - keskimääräinen tasasuunnattu (io):	3A
jännite - eteenpäin (vf) (max) @ jos:	1.05 V @ 3 A
nopeus:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
käänteinen palautumisaika (trr):	40 ns
virta - käänteinen vuoto @ vr:	5 µA @ 100 V
kapasitanssi @ vr, f:	-
asennustyyppi:	Surface Mount
paketti/laukku:	DO-214AB, SMC
toimittajan laitepaketti:	DO-214AB (SMC)
käyttölämpötila - risteys:	-55°C ~ 175°C