SE10FJ-M3/I | Vishay General Semiconductor – Diodes Division SE10FJ-M3/I

SE10FJ-M3/I

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	SE10FJ-M3/I
LIXINC Part #	SE10FJ-M3/I
Valmistaja	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Kategoria	erillinen puolijohde › diodit - tasasuuntaajat - yksittäinen
Kuvaus	DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	SE10FJ-M3/I PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 23 - Oct 27 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

SE10FJ-M3/I Tekniset tiedot

Osa numero:	SE10FJ-M3/I
Brändi:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	diodit - tasasuuntaajat - yksittäinen
Valmistaja:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)
osan tila:	Active
diodityyppi:	Standard
jännite - dc taaksepäin (vr) (max):	600 V
virta - keskimääräinen tasasuunnattu (io):	1A
jännite - eteenpäin (vf) (max) @ jos:	1.05 V @ 1 A
nopeus:	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
käänteinen palautumisaika (trr):	780 ns
virta - käänteinen vuoto @ vr:	5 µA @ 600 V
kapasitanssi @ vr, f:	7.5pF @ 4V, 1MHz
asennustyyppi:	Surface Mount
paketti/laukku:	DO-219AB
toimittajan laitepaketti:	DO-219AB (SMF)
käyttölämpötila - risteys:	-55°C ~ 175°C