VS-10ETF12S-M3 | Vishay General Semiconductor – Diodes Division VS-10ETF12S-M3

VS-10ETF12S-M3

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	VS-10ETF12S-M3
LIXINC Part #	VS-10ETF12S-M3
Valmistaja	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Kategoria	erillinen puolijohde › diodit - tasasuuntaajat - yksittäinen
Kuvaus	DIODE GEN PURP 1.2KV 10A D2PAK
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	VS-10ETF12S-M3 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 21 - Sep 25 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

VS-10ETF12S-M3 Tekniset tiedot

Osa numero:	VS-10ETF12S-M3
Brändi:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	diodit - tasasuuntaajat - yksittäinen
Valmistaja:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)
osan tila:	Active
diodityyppi:	Standard
jännite - dc taaksepäin (vr) (max):	1200 V
virta - keskimääräinen tasasuunnattu (io):	10A
jännite - eteenpäin (vf) (max) @ jos:	1.33 V @ 10 A
nopeus:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
käänteinen palautumisaika (trr):	310 ns
virta - käänteinen vuoto @ vr:	100 µA @ 1200 V
kapasitanssi @ vr, f:	-
asennustyyppi:	Surface Mount
paketti/laukku:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
toimittajan laitepaketti:	D2PAK
käyttölämpötila - risteys:	-40°C ~ 150°C