VBT1080S-M3/4W | Vishay General Semiconductor – Diodes Division VBT1080S-M3/4W

VBT1080S-M3/4W

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	VBT1080S-M3/4W
LIXINC Part #	VBT1080S-M3/4W
Valmistaja	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Kategoria	erillinen puolijohde › diodit - tasasuuntaajat - yksittäinen
Kuvaus	DIODE SCHOTTKY 10A 80V TO-263AB
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	VBT1080S-M3/4W PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Oct 27 - Oct 31 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

VBT1080S-M3/4W Tekniset tiedot

Osa numero:	VBT1080S-M3/4W
Brändi:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	diodit - tasasuuntaajat - yksittäinen
Valmistaja:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
sarja:	-
paketti:	Tube
osan tila:	Active
diodityyppi:	Schottky
jännite - dc taaksepäin (vr) (max):	80 V
virta - keskimääräinen tasasuunnattu (io):	10A
jännite - eteenpäin (vf) (max) @ jos:	810 mV @ 10 A
nopeus:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
käänteinen palautumisaika (trr):	-
virta - käänteinen vuoto @ vr:	600 µA @ 80 V
kapasitanssi @ vr, f:	-
asennustyyppi:	Surface Mount
paketti/laukku:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
toimittajan laitepaketti:	TO-263AB
käyttölämpötila - risteys:	-55°C ~ 150°C