TRS12N65FB,S1Q | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TRS12N65FB,S1Q

TRS12N65FB,S1Q

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	TRS12N65FB,S1Q
LIXINC Part #	TRS12N65FB,S1Q
Valmistaja	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategoria	erillinen puolijohde › diodit - tasasuuntaajat - ryhmät
Kuvaus	SIC SBD TO-247 V=650 IF=12A
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	TRS12N65FB,S1Q PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 22 - Sep 26 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

TRS12N65FB,S1Q Tekniset tiedot

Osa numero:	TRS12N65FB,S1Q
Brändi:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	diodit - tasasuuntaajat - ryhmät
Valmistaja:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
sarja:	-
paketti:	Tube
osan tila:	Active
diodikokoonpano:	1 Pair Common Cathode
diodityyppi:	Silicon Carbide Schottky
jännite - dc taaksepäin (vr) (max):	650 V
virta - keskimääräinen tasasuunnattu (io) (diodia kohden):	6A (DC)
jännite - eteenpäin (vf) (max) @ jos:	1.6 V @ 6 A
nopeus:	No Recovery Time > 500mA (Io)
käänteinen palautumisaika (trr):	0 ns
virta - käänteinen vuoto @ vr:	30 µA @ 650 V
käyttölämpötila - risteys:	175°C
asennustyyppi:	Through Hole
paketti/laukku:	TO-247-3
toimittajan laitepaketti:	TO-247