3KBP08M-01E4/P | Vishay General Semiconductor – Diodes Division 3KBP08M-01E4/P

3KBP08M-01E4/P

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	3KBP08M-01E4/P
LIXINC Part #	3KBP08M-01E4/P
Valmistaja	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Kategoria	erillinen puolijohde › diodit - siltatasasuuntaajat
Kuvaus	BRIDGE RECT 1PHASE 800V 3A KBPM
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	3KBP08M-01E4/P PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Jul 03 - Jul 07 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

3KBP08M-01E4/P Tekniset tiedot

Osa numero:	3KBP08M-01E4/P
Brändi:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	diodit - siltatasasuuntaajat
Valmistaja:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
sarja:	-
paketti:	Bulk
osan tila:	Obsolete
diodityyppi:	Single Phase
teknologiaa:	Standard
jännite - huippu käänteinen (max):	800 V
virta - keskimääräinen tasasuunnattu (io):	3 A
jännite - eteenpäin (vf) (max) @ jos:	1.05 V @ 3 A
virta - käänteinen vuoto @ vr:	5 µA @ 800 V
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
paketti/laukku:	4-SIP, KBPM
toimittajan laitepaketti:	KBPM