TSM2N7000KCT A3G | TSC (Taiwan Semiconductor) TSM2N7000KCT A3G | TSM2N7000KCT A3G Inventory, Best Pricing

TSM2N7000KCT A3G

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	TSM2N7000KCT A3G
LIXINC Part #	TSM2N7000KCT A3G
Valmistaja	TSC (Taiwan Semiconductor)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CHANNEL 60V 300MA TO92
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	TSM2N7000KCT A3G PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 29 - Oct 03 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

TSM2N7000KCT A3G Tekniset tiedot

Osa numero:	TSM2N7000KCT A3G
Brändi:	TSC (Taiwan Semiconductor)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	TSC (Taiwan Semiconductor)
sarja:	-
paketti:	Cut Tape (CT)Tape & Box (TB)
osan tila:	Discontinued at Digi-Key
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	60 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	300mA (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	5Ohm @ 100mA, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	0.4 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	7.32 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	400mW (Ta)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	TO-92
paketti/laukku:	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)