ZXMN6A08E6TC | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) ZXMN6A08E6TC

ZXMN6A08E6TC

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	ZXMN6A08E6TC
LIXINC Part #	ZXMN6A08E6TC
Valmistaja	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT26
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	ZXMN6A08E6TC PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 28 - Oct 02 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

ZXMN6A08E6TC Tekniset tiedot

Osa numero:	ZXMN6A08E6TC
Brändi:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	60 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	2.8A (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	80mOhm @ 4.8A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	1V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	5.8 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	459 pF @ 40 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	1.1W (Ta)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	SOT-26
paketti/laukku:	SOT-23-6