1N5257B-TAP | Vishay General Semiconductor – Diodes Division 1N5257B-TAP

1N5257B-TAP

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	1N5257B-TAP
LIXINC Part #	1N5257B-TAP
Valmistaja	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Kategoria	erillinen puolijohde › diodit - zener - single
Kuvaus	DIODE ZENER 33V 500MW DO35
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	1N5257B-TAP PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 29 - Oct 03 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

1N5257B-TAP Tekniset tiedot

Osa numero:	1N5257B-TAP
Brändi:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	diodit - zener - single
Valmistaja:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
sarja:	Automotive, AEC-Q101
paketti:	Tape & Box (TB)
osan tila:	Active
jännite - zener (nom) (vz):	33 V
toleranssi:	±5%
teho - max:	500 mW
impedanssi (max) (zzt):	58 Ohms
virta - käänteinen vuoto @ vr:	100 nA @ 25 V
jännite - eteenpäin (vf) (max) @ jos:	1.1 V @ 200 mA
Käyttölämpötila:	-65°C ~ 175°C
asennustyyppi:	Through Hole
paketti/laukku:	DO-204AH, DO-35, Axial
toimittajan laitepaketti:	DO-35