AUIRF8736M2TR | IR (Infineon Technologies) AUIRF8736M2TR | AUIRF8736M2TR Inventory, Best Pricing

AUIRF8736M2TR

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	AUIRF8736M2TR
LIXINC Part #	AUIRF8736M2TR
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 40V 27A DIRECTFET
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	AUIRF8736M2TR PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 29 - Oct 03 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

AUIRF8736M2TR Tekniset tiedot

Osa numero:	AUIRF8736M2TR
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	HEXFET®
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	40 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	27A (Ta), 137A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	1.9mOhm @ 85A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.9V @ 150µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	204 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	6867 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	2.5W (Ta), 63W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	DIRECTFET™ M4
paketti/laukku:	DirectFET™ Isometric M4