SSM5N15FE(TE85L,F) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation SSM5N15FE(TE85L,F) | SSM5N15FE(TE85L,F) Inventory, Best Pricing

SSM5N15FE(TE85L,F)

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	SSM5N15FE(TE85L,F)
LIXINC Part #	SSM5N15FE(TE85L,F)
Valmistaja	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 30V 100MA ESV
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	SSM5N15FE(TE85L,F) PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 28 - Oct 02 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

SSM5N15FE(TE85L,F) Tekniset tiedot

Osa numero:	SSM5N15FE(TE85L,F)
Brändi:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
sarja:	π-MOSVI
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	30 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	100mA (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	2.5V, 4V
rds päällä (max) @ id, vgs:	4Ohm @ 10mA, 4V
vgs(th) (max) @ id:	1.5V @ 100µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	-
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	7.8 pF @ 3 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	150mW (Ta)
Käyttölämpötila:	150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	ESV
paketti/laukku:	SOT-553