IPA100N08N3GXKSA1 | Rochester Electronics IPA100N08N3GXKSA1 | IPA100N08N3GXKSA1 Inventory, Best Pricing

IPA100N08N3GXKSA1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	IPA100N08N3GXKSA1
LIXINC Part #	IPA100N08N3GXKSA1
Valmistaja	Rochester Electronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 80V 40A TO220-3-111
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	IPA100N08N3GXKSA1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 28 - Oct 02 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

IPA100N08N3GXKSA1 Tekniset tiedot

Osa numero:	IPA100N08N3GXKSA1
Brändi:	Rochester Electronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Rochester Electronics
sarja:	OptiMOS™
paketti:	Bulk
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	80 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	40A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	-
rds päällä (max) @ id, vgs:	10mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.5V @ 46µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	35 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	2410 pF @ 40 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	35W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	PG-TO220-3-111
paketti/laukku:	TO-220-3 Full Pack