BSR802NL6327HTSA1 | IR (Infineon Technologies) BSR802NL6327HTSA1 | BSR802NL6327HTSA1 Inventory, Best Pricing

BSR802NL6327HTSA1

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	BSR802NL6327HTSA1
LIXINC Part #	BSR802NL6327HTSA1
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 20V 3.7A SC59
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	BSR802NL6327HTSA1 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 29 - Oct 03 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

BSR802NL6327HTSA1 Tekniset tiedot

Osa numero:	BSR802NL6327HTSA1
Brändi:	IR (Infineon Technologies)
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	IR (Infineon Technologies)
sarja:	OptiMOS™
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	20 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	3.7A (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	1.8V, 2.5V
rds päällä (max) @ id, vgs:	23mOhm @ 3.7A, 2.5V
vgs(th) (max) @ id:	750mV @ 30µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	4.7 nC @ 2.5 V
vgs (max):	±8V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	1447 pF @ 10 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	500mW (Ta)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	PG-SC-59
paketti/laukku:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3