FCP190N60-GF102 | Rochester Electronics FCP190N60-GF102 | FCP190N60-GF102 Inventory, Best Pricing

FCP190N60-GF102

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	FCP190N60-GF102
LIXINC Part #	FCP190N60-GF102
Valmistaja	Rochester Electronics
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	FCP190N60-GF102 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 29 - Oct 03 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

FCP190N60-GF102 Tekniset tiedot

Osa numero:	FCP190N60-GF102
Brändi:	Rochester Electronics
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Rochester Electronics
sarja:	SuperFET® II
paketti:	Bulk
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	600 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	20.2A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	199mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.5V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	74 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	2.95 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	208W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	TO-220-3
paketti/laukku:	TO-220-3