FQB47P06TM-AM002 | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FQB47P06TM-AM002

FQB47P06TM-AM002

Suurentaa

Vain viitteeksi

Osa numero	FQB47P06TM-AM002
LIXINC Part #	FQB47P06TM-AM002
Valmistaja	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategoria	erillinen puolijohde › transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Kuvaus	MOSFET P-CH 60V 47A D2PAK
Elinkaari	Aktiivinen
RoHS	Ei RoHS-tietoja
EDA/CAD mallit	FQB47P06TM-AM002 PCB-jalanjälki ja symboli
Varastot	Yhdysvallat, Eurooppa, Kiina, Hongkongin erityishallintoalue
Arvioitu toimitus	Sep 29 - Oct 03 2024(Valitse nopeutettu toimitus)
Takuu	Jopa 1 vuosi [rajoitettu takuu]*
Maksu
laivaus

FQB47P06TM-AM002 Tekniset tiedot

Osa numero:	FQB47P06TM-AM002
Brändi:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Elinkaari:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	erillinen puolijohde
Alaluokka:	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Valmistaja:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
sarja:	QFET®
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	P-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	60 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	47A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	26mOhm @ 23.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	110 nC @ 10 V
vgs (max):	±25V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	3600 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	3.75W (Ta), 160W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	D²PAK (TO-263AB)
paketti/laukku:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

RTL020P02FRATR	MOSFET P-CH 20V 2A TUMT6	4633 Lisää tilauksesta
IXFT15N100Q3	MOSFET N-CH 1000V 15A TO268	840 Lisää tilauksesta
SIDR402DP-T1-GE3	MOSFET N-CH 40V 64.6A/100A PPAK	946 Lisää tilauksesta
RJK03M8DNS-WS#J5	N-CHANNEL POWER MOSFET	5691 Lisää tilauksesta
TSM70N380CP ROG	MOSFET N-CHANNEL 700V 11A TO252	9309 Lisää tilauksesta
AUIRLS8409-7P	MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK	1715 Lisää tilauksesta
STN2NF10	MOSFET N-CH 100V 2.4A SOT-223	16746 Lisää tilauksesta
IPI147N12N3GAKSA1	MOSFET N-CH 120V 56A TO262-3	14889 Lisää tilauksesta
SI2366DS-T1-GE3	MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3	897 Lisää tilauksesta
CSD17318Q2T	MOSFET N-CHANNEL 30V 25A 6WSON	324410863 Lisää tilauksesta
FDS5680	SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI	23315 Lisää tilauksesta
SQM100N02-3M5L_GE3	MOSFET N-CH 20V 100A TO263	1677 Lisää tilauksesta
IPB50R199CPATMA1	OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET	1438 Lisää tilauksesta